H5ANAG6NCJR-XN vs H5ANAG6NCR-UHC Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de H5ANAG6NCJR-XN par SK hynix et H5ANAG6NCR-UHC par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | H5ANAG6NCJR-XN | H5ANAG6NCR-UHC |
|---|---|---|
| Marque | SK hynix | SK hynix |
| Catégorie | Memory ICs | Mobile LPDDR4 |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $71,20 | $9,20 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 16 Gbit (1G x 16) | — |
| Organisation de la mémoire | 1G x 16 | 1G x 16 |
| Débit de données | 3200 Mbps/pin (DDR4-3200) | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.14 V to 1.26 V | [DATA_NEEDED: VDD voltage] |
| Boîtier | FBGA-96 (96-ball) | FBGA-96 (PBGA-96) |
| Package Width | 8 mm | — |
| Type de montage | Surface Mount (BGA) | Surface Mount |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask (DM) | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination (ODT) | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| CRC (Command/Address) | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Maximum Standby Current | 0.074 A (per Vyrian listing) | — |
| Statut RoHS | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: Operating temperature range] |
| Latence CAS | [DATA_NEEDED: CAS latency for -XN speed grade] | — |
| Memory Density | — | 16 Gb (2 GB) |
| Interface | — | CMOS, Double Data Rate IV |
| Die Revision | — | C |
| Speed Grade | — | [DATA_NEEDED: Speed grade / data rate] |
| Configuration | — | 1 Channel, 1 Rank |
| Refresh | — | [DATA_NEEDED: Refresh scheme] |
| Factory Packing Quantity | — | [DATA_NEEDED: Standard packing quantity] |
| Application | — | Main memory, embedded computing, industrial controllers |