H5ANAG8NCMR-VKC vs H5ANAG6NCJR-XNC Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de H5ANAG8NCMR-VKC par SK hynix et H5ANAG6NCJR-XNC par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | H5ANAG8NCMR-VKC | H5ANAG6NCJR-XNC |
|---|---|---|
| Marque | SK hynix | SK hynix |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $8,05 | $84,97 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Taille de mémoire | 16 Gb | 16 Gbit |
| Memory Organization | 2G x 8 | 1G x 16 |
| Débit de données | 2666 Mbps/pin (DDR4-2666) | 3200 Mbps/pin |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| I/O Voltage (VDDQ) | 1.2 V | — |
| Boîtier | FBGA-78 | FBGA-96 |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Speed Grade | VK (per SK hynix speed-bin suffix) | — |
| Power Class | Normal Power | — |
| Bank Groups | 4 | — |
| Banks Total | 16 | — |
| Température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| Latence CAS | [DATA_NEEDED: CAS latency for VK speed bin] | — |
| Statut RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant |
| Packaging | [DATA_NEEDED: standard packing quantity] | Tray |
| Manufacturer Process | CMOS DRAM | — |
| Supply Voltage Range | — | 1.14 V to 1.26 V (VDD/VDDQ) |
| Interface | — | Parallel |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Data Mask Function | — | Yes |
| Dynamic On-Chip Termination (ODT) | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |