H5ANAG8NCMR-VKC vs H5ANAG6NCJR-XNC Сравнение
Подробное сравнение бок о бок H5ANAG8NCMR-VKC от SK hynix и H5ANAG6NCJR-XNC от SK hynix. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Сравнение характеристик
| Параметр | H5ANAG8NCMR-VKC | H5ANAG6NCJR-XNC |
|---|---|---|
| Бренд | SK hynix | SK hynix |
| Категория | Memory ICs | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $8,05 | $84,97 |
| Тип памяти | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Размер памяти | 16 Gb | 16 Gbit |
| Memory Organization | 2G x 8 | 1G x 16 |
| Скорость передачи данных | 2666 Mbps/pin (DDR4-2666) | 3200 Mbps/pin |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| I/O Voltage (VDDQ) | 1.2 V | — |
| Корпус | FBGA-78 | FBGA-96 |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Speed Grade | VK (per SK hynix speed-bin suffix) | — |
| Power Class | Normal Power | — |
| Bank Groups | 4 | — |
| Banks Total | 16 | — |
| Рабочая температура | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| Задержка CAS | [DATA_NEEDED: CAS latency for VK speed bin] | — |
| Статус RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant |
| Packaging | [DATA_NEEDED: standard packing quantity] | Tray |
| Manufacturer Process | CMOS DRAM | — |
| Supply Voltage Range | — | 1.14 V to 1.26 V (VDD/VDDQ) |
| Интерфейс | — | Parallel |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Data Mask Function | — | Yes |
| Dynamic On-Chip Termination (ODT) | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |