H5ANAG8NCMR-VKC vs H5ANAG6NCJR-XNC Comparação
Comparação detalhada lado a lado de H5ANAG8NCMR-VKC por SK hynix e H5ANAG6NCJR-XNC por SK hynix. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | H5ANAG8NCMR-VKC | H5ANAG6NCJR-XNC |
|---|---|---|
| Marca | SK hynix | SK hynix |
| Categoria | Memory ICs | Memory ICs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $8,05 | $84,97 |
| Tipo de memória | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Tamanho da memória | 16 Gb | 16 Gbit |
| Memory Organization | 2G x 8 | 1G x 16 |
| Taxa de dados | 2666 Mbps/pin (DDR4-2666) | 3200 Mbps/pin |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| I/O Voltage (VDDQ) | 1.2 V | — |
| Encapsulamento | FBGA-78 | FBGA-96 |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Speed Grade | VK (per SK hynix speed-bin suffix) | — |
| Power Class | Normal Power | — |
| Bank Groups | 4 | — |
| Banks Total | 16 | — |
| Temperatura de operação | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| Latência CAS | [DATA_NEEDED: CAS latency for VK speed bin] | — |
| Status RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant |
| Packaging | [DATA_NEEDED: standard packing quantity] | Tray |
| Manufacturer Process | CMOS DRAM | — |
| Supply Voltage Range | — | 1.14 V to 1.26 V (VDD/VDDQ) |
| Interface | — | Parallel |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Data Mask Function | — | Yes |
| Dynamic On-Chip Termination (ODT) | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |