H5ANAG8NCMR-VKC vs H5ANAG6NCJR-XNC 比較

詳細な並列比較: H5ANAG8NCMR-VKC メーカー: SK hynix および H5ANAG6NCJR-XNC メーカー: SK hynix。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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H5ANAG8NCMR-VKC H5ANAG8NCMR-VKC - 16Gb DDR4-2666 x8 DRAM FBGA | SK hynix

H5ANAG8NCMR-VKC - 16Gb DDR4-2666 x8 DRAM FBGA | SK hynix

H5ANAG8NCMR-VKC ✓ 生産中
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H5ANAG6NCJR-XNC H5ANAG6NCJR-XNC - 16Gb DDR4-3200 SDRAM x16 | SK Hynix

H5ANAG6NCJR-XNC - 16Gb DDR4-3200 SDRAM x16 | SK Hynix

H5ANAG6NCJR-XNC ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ H5ANAG8NCMR-VKC H5ANAG6NCJR-XNC
ブランド SK hynix SK hynix
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $8.05 $84.97
メモリタイプ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
メモリサイズ 16 Gb 16 Gbit
Memory Organization 2G x 8 1G x 16
データレート 2666 Mbps/pin (DDR4-2666) 3200 Mbps/pin
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
I/O Voltage (VDDQ) 1.2 V —
パッケージ FBGA-78 FBGA-96
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Speed Grade VK (per SK hynix speed-bin suffix) —
Power Class Normal Power —
Bank Groups 4 —
Banks Total 16 —
動作温度 [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
CASレイテンシ [DATA_NEEDED: CAS latency for VK speed bin] —
RoHS ステータス [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
Packaging [DATA_NEEDED: standard packing quantity] Tray
Manufacturer Process CMOS DRAM —
Supply Voltage Range — 1.14 V to 1.26 V (VDD/VDDQ)
インターフェース — Parallel
Auto Self-Refresh — Yes
Auto Precharge — Yes
Asynchronous Reset — Yes
Data Mask Function — Yes
Dynamic On-Chip Termination (ODT) — Yes
ZQ Calibration — Yes
CRC Function — Yes
Write Leveling — Yes

データシート&リソース

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