H5TC4G63AFR-PBA vs H5TC4G63AFR-PBJ Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de H5TC4G63AFR-PBA par SK hynix et H5TC4G63AFR-PBJ par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | H5TC4G63AFR-PBA | H5TC4G63AFR-PBJ |
|---|---|---|
| Marque | SK hynix | SK hynix |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $3,98 | $7,50 |
| Type de mémoire | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4Gb | — |
| Organisation de la mémoire | 256M x 16 | — |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | 1.35V | — |
| Débit de données | 1866 Mbps (PC3L-14900) | [DATA_NEEDED: Data rate (e.g., 1600 Mbps)] |
| Boîtier | 96-ball FBGA | 96-ball TFBGA |
| Ball Pitch | 0.8mm | — |
| Number of Banks | 8 | — |
| Burst Length | 8 and 4 (with burst chop) | — |
| CAS Latency (CL) | 11, 12, 13 | — |
| Plage de température de fonctionnement | 0°C to +95°C (Tcase) | — |
| Interface | 16-bit I/O | — |
| On-Die Termination (ODT) | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | Yes |
| Write Leveling | Yes | Yes |
| Auto Self-Refresh | Yes | Yes |
| Partial Array Self-Refresh | Yes | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Taille de mémoire | — | 4 Gb (256M x 16) |
| Tension d'alimentation | — | 1.35 V |
| Temperature Grade | — | Industrial (-40°C to +95°C) |
| Refresh Cycles | — | 8192 |
| Package Shape | — | Rectangular |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Latence CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Access Time | — | 0.225 ns (from H5TC4G63AFR-PBR datasheet) |
| Data Mask | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Dynamic On-Chip Termination | — | Yes |
| Statut RoHS | — | [DATA_NEEDED: RoHS Status] |