H5TC4G63AFR-PBA vs H5TC4G63AFR-PBJ 比較

詳細な並列比較: H5TC4G63AFR-PBA メーカー: SK hynix および H5TC4G63AFR-PBJ メーカー: SK hynix。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

SK hynix
H5TC4G63AFR-PBA H5TC4G63AFR-PBA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK hynix

H5TC4G63AFR-PBA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK hynix

H5TC4G63AFR-PBA ✓ 生産中
SK hynix
H5TC4G63AFR-PBJ H5TC4G63AFR-PBJ - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63AFR-PBJ - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63AFR-PBJ ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ H5TC4G63AFR-PBA H5TC4G63AFR-PBJ
ブランド SK hynix SK hynix
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $3.98 $7.50
メモリタイプ DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4Gb —
メモリ構成 256M x 16 —
Supply Voltage (VDD/VDDQ) 1.35V —
データレート 1866 Mbps (PC3L-14900) [DATA_NEEDED: Data rate (e.g., 1600 Mbps)]
パッケージ 96-ball FBGA 96-ball TFBGA
Ball Pitch 0.8mm —
Number of Banks 8 —
Burst Length 8 and 4 (with burst chop) —
CAS Latency (CL) 11, 12, 13 —
動作温度範囲 0°C to +95°C (Tcase) —
インターフェース 16-bit I/O —
On-Die Termination (ODT) Yes —
ZQ Calibration Yes Yes
Write Leveling Yes Yes
Auto Self-Refresh Yes Yes
Partial Array Self-Refresh Yes —
RoHS Compliant —
メモリサイズ — 4 Gb (256M x 16)
電源電圧 — 1.35 V
Temperature Grade — Industrial (-40°C to +95°C)
Refresh Cycles — 8192
Package Shape — Rectangular
Number of Terminals — 96
CASレイテンシ — [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Access Time — 0.225 ns (from H5TC4G63AFR-PBR datasheet)
Data Mask — Yes
Auto Precharge — Yes
Asynchronous Reset — Yes
Dynamic On-Chip Termination — Yes
RoHS ステータス — [DATA_NEEDED: RoHS Status]

データシート&リソース

すべての製品を閲覧 BOMを作成 見積もり依頼