H5TC4G63AFR-PBA vs K4A8G165WB-BIRC Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de H5TC4G63AFR-PBA par SK hynix et K4A8G165WB-BIRC par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Samsung Electronics
K4A8G165WB-BIRC - 8Gb DDR4 SDRAM x16 | Samsung | 2400 Mbps
K4A8G165WB-BIRC ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | H5TC4G63AFR-PBA | K4A8G165WB-BIRC |
|---|---|---|
| Marque | SK hynix | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $3,98 | $39,50 |
| Type de mémoire | DDR3L SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 4Gb | 8 Gbit |
| Organisation de la mémoire | 256M x 16 | 512M x 16 |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | 1.35V | — |
| Débit de données | 1866 Mbps (PC3L-14900) | 2400 Mbps |
| Boîtier | 96-ball FBGA | 96-ball FBGA |
| Ball Pitch | 0.8mm | — |
| Number of Banks | 8 | — |
| Burst Length | 8 and 4 (with burst chop) | 8, 16 |
| CAS Latency (CL) | 11, 12, 13 | — |
| Plage de température de fonctionnement | 0°C to +95°C (Tcase) | -40°C to +95°C |
| Interface | 16-bit I/O | 16-bit |
| On-Die Termination (ODT) | Yes | Yes |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Partial Array Self-Refresh | Yes | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Tension d'alimentation | — | 1.2 V |
| DLL Enabled Mode | — | Yes |
| Row Address | — | 16 bits |
| Column Address | — | 10 bits |
| Bank Count | — | 16 banks |
| RoHS Compliant | — | Yes |