H5TC4G63AFR-PBI vs H5TC4G63MFR-PBA Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de H5TC4G63AFR-PBI par SK hynix et H5TC4G63MFR-PBA par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | H5TC4G63AFR-PBI | H5TC4G63MFR-PBA |
|---|---|---|
| Marque | SK hynix | SK hynix |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Obsolete | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $6,50 | $6,50 |
| Type de mémoire | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Organisation de la mémoire | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Total Memory Size | 4 Gb | — |
| Débit de données | DDR3-1600 (PC3L-12800) | 1866 Mbps (PC3L-14900) |
| Tension d'alimentation | 1.35 V | — |
| Number of Banks | 8 | 8 |
| Burst Length | 8 (BL8) | BL8, BL4 (with burst chop) |
| Latence CAS | Programmable | — |
| On-Die Termination (ODT) | Yes | Yes |
| Refresh Period | 7.8 us at 85°C | — |
| Plage de température de fonctionnement | -40°C to +95°C | — |
| Boîtier | 96-ball FBGA (TFBGA, BGA96, 9x16, 32) | 96-ball FBGA |
| Type de montage | Surface Mount | — |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Statut RoHS | Compliant | — |
| Density | — | 4 Gb |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.35V (+0.100V/-0.067V) |
| CAS Latency (CL) | — | Programmable |
| CAS Write Latency (CWL) | — | Programmable |
| Additive Latency | — | Programmable |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Temperature-Compensated Self-Refresh | — | Yes |
| Process Technology | — | 30nm-class |
| RoHS Compliant | — | Yes (Lead-Free & Halogen-Free) |