H5TC4G63AFR-PBI vs H5TC4G63MFR-PBA 比較
詳細な並列比較: H5TC4G63AFR-PBI メーカー: SK hynix および H5TC4G63MFR-PBA メーカー: SK hynix。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | H5TC4G63AFR-PBI | H5TC4G63MFR-PBA |
|---|---|---|
| ブランド | SK hynix | SK hynix |
| カテゴリ | Memory ICs | Memory ICs |
| ライフサイクル状態 | Obsolete | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $6.50 | $6.50 |
| メモリタイプ | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| メモリ構成 | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Total Memory Size | 4 Gb | — |
| データレート | DDR3-1600 (PC3L-12800) | 1866 Mbps (PC3L-14900) |
| 電源電圧 | 1.35 V | — |
| Number of Banks | 8 | 8 |
| Burst Length | 8 (BL8) | BL8, BL4 (with burst chop) |
| CASレイテンシ | Programmable | — |
| On-Die Termination (ODT) | Yes | Yes |
| Refresh Period | 7.8 us at 85°C | — |
| 動作温度範囲 | -40°C to +95°C | — |
| パッケージ | 96-ball FBGA (TFBGA, BGA96, 9x16, 32) | 96-ball FBGA |
| 実装タイプ | Surface Mount | — |
| Number of Terminals | 96 | — |
| RoHS ステータス | Compliant | — |
| Density | — | 4 Gb |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.35V (+0.100V/-0.067V) |
| CAS Latency (CL) | — | Programmable |
| CAS Write Latency (CWL) | — | Programmable |
| Additive Latency | — | Programmable |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Temperature-Compensated Self-Refresh | — | Yes |
| Process Technology | — | 30nm-class |
| RoHS Compliant | — | Yes (Lead-Free & Halogen-Free) |