IAUC120N06S5L011ATMA1 vs IAUC100N10S5N040ATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IAUC120N06S5L011ATMA1 par Infineon et IAUC100N10S5N040ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IAUC120N06S5L011ATMA1 - 60V 1.1mOhm 310A OptiMOS 5 MOSFET | Infineon
IAUC120N06S5L011ATMA1 ✓ ActifInfineon
IAUC100N10S5N040ATMA1 - 100V 4mΩ 100A OptiMOS-5 N-MOSFET | Infineon
IAUC100N10S5N040ATMA1 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | IAUC120N06S5L011ATMA1 | IAUC100N10S5N040ATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $2,10 | $1,62 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | OptiMOS 5 60 V (S5 generation) | — |
| Polarity / Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | 60 V | — |
| Gate-Source Voltage (V_GS) | [DATA_NEEDED: max V_GS rating] | — |
| Continuous Drain Current (I_D) | 310 A (Tj), 120 A marketing | — |
| R_DS(on) max | [DATA_NEEDED: R_DS(on) at V_GS = 4.5 V] | — |
| Power Dissipation (P_D) | 188 W at T_C = 25 °C | — |
| Température de jonction en fonctionnement | -55 °C to +175 °C | — |
| Boîtier | PG-TDSON-8-53 (TDSON-8 FL, 5 mm × 6 mm) | PG-TDSON-8-34 (TDSON-8, 5x6 mm) Surface Mount |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | AEC-Q100 qualified |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Niveau MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | MSL1 (up to 260C peak reflow) |
| Avalanche Energy Rated | Yes (EAS) | — |
| FET Type | — | N-Channel, Enhancement Mode |
| Technology | — | OptiMOS-5 |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) @ TC=25C | — | 100 A (package-limited) |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | 400 A |
| RDS(on) max @ VGS=10V | — | 4 mΩ |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg value] |
| Maximum Power Dissipation (PD) | — | 167 W @ TC=25C |
| Thermal Resistance, Junction-to-Case (RthJC) | — | 0.9 K/W |
| Plage de température de fonctionnement | — | -55C to +175C (junction) |
| Avalanche Rating | — | 100% Avalanche tested |
| AOI Compatibility | — | Feasible for Automatic Optical Inspection |