IAUC41N06S5N102ATMA1 vs IAUCN04S7N037GATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IAUC41N06S5N102ATMA1 par Infineon et IAUCN04S7N037GATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IAUC41N06S5N102ATMA1 IAUCN04S7N037GATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,58 $0,89
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Family OptiMOS 5 Power-Transistor —
Type de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 40 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 47 A (Tj) —
Power Dissipation (PD, Tc=25C) 42 W —
On-Resistance (RDS(on)) 10.2 mΩ at VGS=10 V, ID=20 A —
Gate-Source Threshold (VGS(th)) 3.4 V (typical) —
Total Gate Charge (QG) 12.5 nC —
Boîtier PG-TDSON-8-33 (SSO8) Surface Mount SSO4G 5x6 mm² (PG-THSOG-4-1)
Plage de température de fonctionnement -55C to +175C (junction) [DATA_NEEDED: junction/ambient temperature limits]
Type de montage Surface Mount Surface Mount (IMS substrate attach compatible)
Automotive Qualification AEC-Q101 (per Infineon automotive MOSFET family) AEC-Q101
Statut RoHS Compliant Compliant
Channel Polarity N-Channel (single) —
Series — OptiMOS 7
Technology — Trench MOSFET, N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at Tj — 91 A
On-State Resistance RDS(on) typical — 3.65 mΩ at VGS = 10 V
Power Dissipation (PD) at Tc — 57 W
Channel Type — N-Channel
Operating Mode — Enhancement
Niveau MSL — [DATA_NEEDED: MSL level]
Gate Charge (Qg) typical — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/range]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss]

Fiches techniques et ressources

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