IAUC41N06S5N102ATMA1 vs IAUCN04S7N037GATMA1 比較

詳細な並列比較: IAUC41N06S5N102ATMA1 メーカー: Infineon および IAUCN04S7N037GATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IAUC41N06S5N102ATMA1 IAUC41N06S5N102ATMA1 - 60V 47A 10.2mΩ OptiMOS 5 N-FET | Infineon

IAUC41N06S5N102ATMA1 - 60V 47A 10.2mΩ OptiMOS 5 N-FET | Infineon

IAUC41N06S5N102ATMA1 ✓ 生産中
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IAUCN04S7N037GATMA1 IAUCN04S7N037GATMA1 - 40V 91A OptiMOS 7 N-Ch MOSFET | Infineon

IAUCN04S7N037GATMA1 - 40V 91A OptiMOS 7 N-Ch MOSFET | Infineon

IAUCN04S7N037GATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IAUC41N06S5N102ATMA1 IAUCN04S7N037GATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.58 $0.89
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Family OptiMOS 5 Power-Transistor —
トランジスタタイプ N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 40 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 47 A (Tj) —
Power Dissipation (PD, Tc=25C) 42 W —
On-Resistance (RDS(on)) 10.2 mΩ at VGS=10 V, ID=20 A —
Gate-Source Threshold (VGS(th)) 3.4 V (typical) —
Total Gate Charge (QG) 12.5 nC —
パッケージ PG-TDSON-8-33 (SSO8) Surface Mount SSO4G 5x6 mm² (PG-THSOG-4-1)
動作温度範囲 -55C to +175C (junction) [DATA_NEEDED: junction/ambient temperature limits]
実装タイプ Surface Mount Surface Mount (IMS substrate attach compatible)
Automotive Qualification AEC-Q101 (per Infineon automotive MOSFET family) AEC-Q101
RoHS ステータス Compliant Compliant
Channel Polarity N-Channel (single) —
Series — OptiMOS 7
Technology — Trench MOSFET, N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at Tj — 91 A
On-State Resistance RDS(on) typical — 3.65 mΩ at VGS = 10 V
Power Dissipation (PD) at Tc — 57 W
Channel Type — N-Channel
Operating Mode — Enhancement
MSLレベル — [DATA_NEEDED: MSL level]
Gate Charge (Qg) typical — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/range]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss]

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