IAUC41N06S5N102ATMA1 vs IAUCN04S7N037GATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IAUC41N06S5N102ATMA1 por Infineon e IAUCN04S7N037GATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IAUC41N06S5N102ATMA1 IAUCN04S7N037GATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,58 $0,89
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Family OptiMOS 5 Power-Transistor —
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 40 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 47 A (Tj) —
Power Dissipation (PD, Tc=25C) 42 W —
On-Resistance (RDS(on)) 10.2 mΩ at VGS=10 V, ID=20 A —
Gate-Source Threshold (VGS(th)) 3.4 V (typical) —
Total Gate Charge (QG) 12.5 nC —
Encapsulamento PG-TDSON-8-33 (SSO8) Surface Mount SSO4G 5x6 mm² (PG-THSOG-4-1)
Faixa de temperatura de operação -55C to +175C (junction) [DATA_NEEDED: junction/ambient temperature limits]
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount (IMS substrate attach compatible)
Automotive Qualification AEC-Q101 (per Infineon automotive MOSFET family) AEC-Q101
Status RoHS Compliant Compliant
Channel Polarity N-Channel (single) —
Series — OptiMOS 7
Technology — Trench MOSFET, N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at Tj — 91 A
On-State Resistance RDS(on) typical — 3.65 mΩ at VGS = 10 V
Power Dissipation (PD) at Tc — 57 W
Channel Type — N-Channel
Operating Mode — Enhancement
Nível MSL — [DATA_NEEDED: MSL level]
Gate Charge (Qg) typical — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/range]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss]

Fichas técnicas e recursos

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