IAUC60N04S6N031HATMA1 vs IAUT300N08S5N012ATMA2 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IAUC60N04S6N031HATMA1 par Infineon et IAUT300N08S5N012ATMA2 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IAUC60N04S6N031HATMA1 - 40V 60A Half-Bridge MOSFET | Infineon
IAUC60N04S6N031HATMA1 ✓ ActifInfineon
IAUT300N08S5N012ATMA2 - 80V 300A 1.2mΩ N-Ch MOSFET | Infineon
IAUT300N08S5N012ATMA2 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | IAUC60N04S6N031HATMA1 | IAUT300N08S5N012ATMA2 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,95 | $2,20 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Family | IAUC (Integrated Automotive Half-Bridge) | — |
| Process Technology | OptiMOS 6 40V | — |
| Configuration | Half-Bridge (2 N-Channel MOSFETs) | — |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D, Tj) | 60 A | — |
| Power Dissipation (P_D, Tc=25C) | 75 W | — |
| R_DS(on) at VGS=10V | 3.1 mΩ | — |
| Gate-Source Voltage (V_GS) max | [DATA_NEEDED: V_GS max rating] | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55 °C to +175 °C (Tj) | -55 °C to +175 °C (TJ) |
| Boîtier | PG-TDSON-8-56 (5 mm x 6 mm) | PG-HSOF-8-1 (8-pin HSOF with drain tab) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Nombre de broches | 8 | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | AEC-Q101 qualified |
| Statut RoHS | Compliant | — |
| Niveau MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| Product Family | — | OptiMOS™-5 80 V |
| Type de transistor | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) | — | 300 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | 1200 A (per datasheet, typical) |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 1.2 mΩ |
| Maximum Power Dissipation (PD, Tc) | — | 375 W |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) | — | ±20 V |
| RoHS Compliance | — | Compliant |