IAUC60N04S6N031HATMA1 vs IAUT300N08S5N012ATMA2 比較

詳細な並列比較: IAUC60N04S6N031HATMA1 メーカー: Infineon および IAUT300N08S5N012ATMA2 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IAUC60N04S6N031HATMA1 IAUC60N04S6N031HATMA1 - 40V 60A Half-Bridge MOSFET | Infineon

IAUC60N04S6N031HATMA1 - 40V 60A Half-Bridge MOSFET | Infineon

IAUC60N04S6N031HATMA1 ✓ 生産中
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IAUT300N08S5N012ATMA2 IAUT300N08S5N012ATMA2 - 80V 300A 1.2mΩ N-Ch MOSFET | Infineon

IAUT300N08S5N012ATMA2 - 80V 300A 1.2mΩ N-Ch MOSFET | Infineon

IAUT300N08S5N012ATMA2 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IAUC60N04S6N031HATMA1 IAUT300N08S5N012ATMA2
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.95 $2.20
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Family IAUC (Integrated Automotive Half-Bridge) —
Process Technology OptiMOS 6 40V —
Configuration Half-Bridge (2 N-Channel MOSFETs) —
Drain-Source Voltage (V_DS) 40 V —
Continuous Drain Current (I_D, Tj) 60 A —
Power Dissipation (P_D, Tc=25C) 75 W —
R_DS(on) at VGS=10V 3.1 mΩ —
Gate-Source Voltage (V_GS) max [DATA_NEEDED: V_GS max rating] —
動作温度範囲 -55 °C to +175 °C (Tj) -55 °C to +175 °C (TJ)
パッケージ PG-TDSON-8-56 (5 mm x 6 mm) PG-HSOF-8-1 (8-pin HSOF with drain tab)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
ピン数 8 —
Automotive Qualification AEC-Q101 AEC-Q101 qualified
RoHS ステータス Compliant —
MSLレベル [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL level]
Product Family — OptiMOS™-5 80 V
トランジスタタイプ — N-Channel MOSFET
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 80 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) — 300 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 1200 A (per datasheet, typical)
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 1.2 mΩ
Maximum Power Dissipation (PD, Tc) — 375 W
Gate-to-Source Voltage (VGS) — ±20 V
RoHS Compliance — Compliant

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