IAUC60N04S6N031HATMA1 vs IAUT300N08S5N012ATMA2 비교

다음의 상세 나란히 비교: IAUC60N04S6N031HATMA1 제조: Infineon 및 IAUT300N08S5N012ATMA2 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Infineon
IAUC60N04S6N031HATMA1 IAUC60N04S6N031HATMA1 - 40V 60A Half-Bridge MOSFET | Infineon

IAUC60N04S6N031HATMA1 - 40V 60A Half-Bridge MOSFET | Infineon

IAUC60N04S6N031HATMA1 ✓ 활성
Infineon
IAUT300N08S5N012ATMA2 IAUT300N08S5N012ATMA2 - 80V 300A 1.2mΩ N-Ch MOSFET | Infineon

IAUT300N08S5N012ATMA2 - 80V 300A 1.2mΩ N-Ch MOSFET | Infineon

IAUT300N08S5N012ATMA2 ✓ 활성

사양 비교

파라미터 IAUC60N04S6N031HATMA1 IAUT300N08S5N012ATMA2
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.95 $2.20
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Family IAUC (Integrated Automotive Half-Bridge) —
Process Technology OptiMOS 6 40V —
Configuration Half-Bridge (2 N-Channel MOSFETs) —
Drain-Source Voltage (V_DS) 40 V —
Continuous Drain Current (I_D, Tj) 60 A —
Power Dissipation (P_D, Tc=25C) 75 W —
R_DS(on) at VGS=10V 3.1 mΩ —
Gate-Source Voltage (V_GS) max [DATA_NEEDED: V_GS max rating] —
동작 온도 범위 -55 °C to +175 °C (Tj) -55 °C to +175 °C (TJ)
패키지 PG-TDSON-8-56 (5 mm x 6 mm) PG-HSOF-8-1 (8-pin HSOF with drain tab)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
핀 수 8 —
Automotive Qualification AEC-Q101 AEC-Q101 qualified
RoHS 상태 Compliant —
MSL 레벨 [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL level]
Product Family — OptiMOS™-5 80 V
트랜지스터 유형 — N-Channel MOSFET
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 80 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) — 300 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 1200 A (per datasheet, typical)
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 1.2 mΩ
Maximum Power Dissipation (PD, Tc) — 375 W
Gate-to-Source Voltage (VGS) — ±20 V
RoHS Compliance — Compliant

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