IAUCN04S7L009ATMA1 vs IAUCN04S7N037GATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IAUCN04S7L009ATMA1 par Infineon et IAUCN04S7N037GATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IAUCN04S7L009ATMA1 - 40V 275A 0.91mΩ OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon
IAUCN04S7L009ATMA1 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | IAUCN04S7L009ATMA1 | IAUCN04S7N037GATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,96 | $0,89 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | IAUCN04S7L009ATMA1 | — |
| Type de transistor | N-Channel MOSFET | — |
| Technology | OptiMOS™ 7 (trench-gate) | Trench MOSFET, N-Channel |
| Drain-Source Voltage (Vdss) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (Id, Tc=25°C) | 275 A (Tj) | — |
| Continuous Drain Current (Id, Tc=100°C) | 175 A | — |
| Power Dissipation (Pd, Tc=25°C) | 129 W | — |
| Rds(on) Max @ Vgs=10V | 0.91 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value] | — |
| Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: total gate charge] | — |
| Boîtier | PG-TDSON-8-34 (TDSON EP) | SSO4G 5x6 mm² (PG-THSOG-4-1) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount (IMS substrate attach compatible) |
| Plage de température de fonctionnement | -55 °C to +175 °C (Tj) | [DATA_NEEDED: junction/ambient temperature limits] |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | AEC-Q101 |
| Niveau MSL | 1 | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Series | — | OptiMOS 7 |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tj | — | 91 A |
| On-State Resistance RDS(on) typical | — | 3.65 mΩ at VGS = 10 V |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 57 W |
| Channel Type | — | N-Channel |
| Operating Mode | — | Enhancement |
| Gate Charge (Qg) typical | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/range] |
| Input Capacitance (Ciss) | — | [DATA_NEEDED: Ciss] |