IAUCN04S7L009ATMA1 vs IAUCN04S7N037GATMA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IAUCN04S7L009ATMA1 от Infineon и IAUCN04S7N037GATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
IAUCN04S7L009ATMA1 IAUCN04S7L009ATMA1 - 40V 275A 0.91mΩ OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon

IAUCN04S7L009ATMA1 - 40V 275A 0.91mΩ OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon

IAUCN04S7L009ATMA1 ✓ Активен
Infineon
IAUCN04S7N037GATMA1 IAUCN04S7N037GATMA1 - 40V 91A OptiMOS 7 N-Ch MOSFET | Infineon

IAUCN04S7N037GATMA1 - 40V 91A OptiMOS 7 N-Ch MOSFET | Infineon

IAUCN04S7N037GATMA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IAUCN04S7L009ATMA1 IAUCN04S7N037GATMA1
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,96 $0,89
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number IAUCN04S7L009ATMA1 —
Тип транзистора N-Channel MOSFET —
Technology OptiMOS™ 7 (trench-gate) Trench MOSFET, N-Channel
Drain-Source Voltage (Vdss) 40 V —
Continuous Drain Current (Id, Tc=25°C) 275 A (Tj) —
Continuous Drain Current (Id, Tc=100°C) 175 A —
Power Dissipation (Pd, Tc=25°C) 129 W —
Rds(on) Max @ Vgs=10V 0.91 mΩ —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value] —
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Корпус PG-TDSON-8-34 (TDSON EP) SSO4G 5x6 mm² (PG-THSOG-4-1)
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount (IMS substrate attach compatible)
Диапазон рабочих температур -55 °C to +175 °C (Tj) [DATA_NEEDED: junction/ambient temperature limits]
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified AEC-Q101
Уровень MSL 1 [DATA_NEEDED: MSL level]
Статус RoHS Compliant Compliant
Series — OptiMOS 7
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID) at Tj — 91 A
On-State Resistance RDS(on) typical — 3.65 mΩ at VGS = 10 V
Power Dissipation (PD) at Tc — 57 W
Channel Type — N-Channel
Operating Mode — Enhancement
Gate Charge (Qg) typical — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/range]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss]

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену