IAUCN04S7N027GATMA1 vs IAUCN04S7L005ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IAUCN04S7N027GATMA1 par Infineon et IAUCN04S7L005ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IAUCN04S7N027GATMA1 IAUCN04S7L005ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,72 $0,85
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 7 —
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (Vds max) 40 V —
Continuous Drain Current (Id) 117 A —
On-Resistance (Rds(on) max) 2.67 mOhm —
Power Dissipation (Pd) 70 W (Tc) —
Boîtier / Format PG-THSOG-4-1 (SSO4G 5x6) —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Qualification Automotive —
Plage de température de fonctionnement [DATA_NEEDED: operating temperature range] -55°C to +175°C (Tj)
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) [DATA_NEEDED: Vgs(th)] —
Gate-Source Voltage Max (Vgs) [DATA_NEEDED: Vgs max] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg] —
Statut RoHS Compliant Compliant
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL] [DATA_NEEDED: MSL rating]
Substrate Compatibility IMS substrates and legacy FR-4 —
Technology — OptiMOS 7 (trench N-channel MOSFET)
Drain-Source Voltage (V_DS) — 40 V
Continuous Drain Current (I_D, T_C=25°C) — 430 A (Tj)
Continuous Drain Current (I_D, T_C=100°C) — [DATA_NEEDED: I_D at T_C=100°C]
On-Resistance R_DS(on) max — 0.52 mΩ
Power Dissipation (P_D) — 179 W (T_C)
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical and min/max]
Total Gate Charge (Q_g) — [DATA_NEEDED: total Q_g in nC]
Boîtier — PG-TDSON-8-43 (TDSON-8)
Nombre de broches — 8
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
Lead-Free — Yes

Fiches techniques et ressources

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