IAUCN04S7N027GATMA1 vs IAUCN04S7L005ATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IAUCN04S7N027GATMA1 por Infineon e IAUCN04S7L005ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IAUCN04S7N027GATMA1 IAUCN04S7L005ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,72 $0,85
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 7 —
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (Vds max) 40 V —
Continuous Drain Current (Id) 117 A —
On-Resistance (Rds(on) max) 2.67 mOhm —
Power Dissipation (Pd) 70 W (Tc) —
Encapsulamento / Caixa PG-THSOG-4-1 (SSO4G 5x6) —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Qualification Automotive —
Faixa de temperatura de operação [DATA_NEEDED: operating temperature range] -55°C to +175°C (Tj)
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) [DATA_NEEDED: Vgs(th)] —
Gate-Source Voltage Max (Vgs) [DATA_NEEDED: Vgs max] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg] —
Status RoHS Compliant Compliant
Nível MSL [DATA_NEEDED: MSL] [DATA_NEEDED: MSL rating]
Substrate Compatibility IMS substrates and legacy FR-4 —
Technology — OptiMOS 7 (trench N-channel MOSFET)
Drain-Source Voltage (V_DS) — 40 V
Continuous Drain Current (I_D, T_C=25°C) — 430 A (Tj)
Continuous Drain Current (I_D, T_C=100°C) — [DATA_NEEDED: I_D at T_C=100°C]
On-Resistance R_DS(on) max — 0.52 mΩ
Power Dissipation (P_D) — 179 W (T_C)
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical and min/max]
Total Gate Charge (Q_g) — [DATA_NEEDED: total Q_g in nC]
Encapsulamento — PG-TDSON-8-43 (TDSON-8)
Contagem de pinos — 8
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
Lead-Free — Yes

Fichas técnicas e recursos

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