IAUCN10S5L280DATMA1 vs IAUCN08S7L110ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IAUCN10S5L280DATMA1 par Infineon et IAUCN08S7L110ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
IAUCN08S7L110ATMA1 IAUCN08S7L110ATMA1 - 80V 11mΩ N-Channel MOSFET | Infineon

IAUCN08S7L110ATMA1 - 80V 11mΩ N-Channel MOSFET | Infineon

IAUCN08S7L110ATMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre IAUCN10S5L280DATMA1 IAUCN08S7L110ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,62 $0,46
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 5 —
Configuration Dual N-Channel MOSFET Array Single
Drain-Source Voltage (Vds) 100 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tj 23 A —
Power Dissipation (Pd) at Tc 38 W —
Boîtier PG-TDSON-8-61 (SSO8) PG-TDSON-8-34 (TDSON-8)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualified Yes (AEC-Q101, IAU prefix) Yes (AEC-Q101 expected per family)
Technology OptiMOS 5 Trench MOSFET OptiMOS™ (Trench)
Plage de température de fonctionnement -55C to +175C (junction) —
Nombre de broches 8 —
Niveau MSL 1 [DATA_NEEDED: MSL level]
Statut RoHS Compliant Compliant
Packing Tape & Reel (T&R) —
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) — 80 V
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>, T<sub>j</sub>) — 50 A
Maximum Power Dissipation (P<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>) — 58 W
R<sub>DS(on)</sub> (typ., V<sub>GS</sub>=10 V) — 11 mΩ
Gate-Source Voltage (V<sub>GS</sub>) max — [DATA_NEEDED: V_GS_max]
Gate Threshold Voltage (V<sub>GS(th)</sub>) — [DATA_NEEDED: V_GS_th]
Total Gate Charge (Q<sub>G</sub>) — [DATA_NEEDED: Q_G_total]
Température de jonction en fonctionnement — -55 °C to +175 °C
Polarity — Single N-Channel

Fiches techniques et ressources

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