IAUCN10S5L280DATMA1 vs IAUCN08S7L110ATMA1 比較

詳細な並列比較: IAUCN10S5L280DATMA1 メーカー: Infineon および IAUCN08S7L110ATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IAUCN10S5L280DATMA1 IAUCN10S5L280DATMA1 - 100V Dual N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IAUCN10S5L280DATMA1 - 100V Dual N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IAUCN10S5L280DATMA1 ✓ 生産中
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IAUCN08S7L110ATMA1 IAUCN08S7L110ATMA1 - 80V 11mΩ N-Channel MOSFET | Infineon

IAUCN08S7L110ATMA1 - 80V 11mΩ N-Channel MOSFET | Infineon

IAUCN08S7L110ATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IAUCN10S5L280DATMA1 IAUCN08S7L110ATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $1.62 $0.46
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 5 —
Configuration Dual N-Channel MOSFET Array Single
Drain-Source Voltage (Vds) 100 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tj 23 A —
Power Dissipation (Pd) at Tc 38 W —
パッケージ PG-TDSON-8-61 (SSO8) PG-TDSON-8-34 (TDSON-8)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualified Yes (AEC-Q101, IAU prefix) Yes (AEC-Q101 expected per family)
Technology OptiMOS 5 Trench MOSFET OptiMOS™ (Trench)
動作温度範囲 -55C to +175C (junction) —
ピン数 8 —
MSLレベル 1 [DATA_NEEDED: MSL level]
RoHS ステータス Compliant Compliant
Packing Tape & Reel (T&R) —
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) — 80 V
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>, T<sub>j</sub>) — 50 A
Maximum Power Dissipation (P<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>) — 58 W
R<sub>DS(on)</sub> (typ., V<sub>GS</sub>=10 V) — 11 mΩ
Gate-Source Voltage (V<sub>GS</sub>) max — [DATA_NEEDED: V_GS_max]
Gate Threshold Voltage (V<sub>GS(th)</sub>) — [DATA_NEEDED: V_GS_th]
Total Gate Charge (Q<sub>G</sub>) — [DATA_NEEDED: Q_G_total]
動作接合温度 — -55 °C to +175 °C
Polarity — Single N-Channel

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