IAUCN10S5L280DATMA1 vs IAUCN08S7L110ATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IAUCN10S5L280DATMA1 por Infineon y IAUCN08S7L110ATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Infineon
IAUCN08S7L110ATMA1 IAUCN08S7L110ATMA1 - 80V 11mΩ N-Channel MOSFET | Infineon

IAUCN08S7L110ATMA1 - 80V 11mΩ N-Channel MOSFET | Infineon

IAUCN08S7L110ATMA1 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro IAUCN10S5L280DATMA1 IAUCN08S7L110ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $1,62 $0,46
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 5 —
Configuration Dual N-Channel MOSFET Array Single
Drain-Source Voltage (Vds) 100 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tj 23 A —
Power Dissipation (Pd) at Tc 38 W —
Encapsulado PG-TDSON-8-61 (SSO8) PG-TDSON-8-34 (TDSON-8)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualified Yes (AEC-Q101, IAU prefix) Yes (AEC-Q101 expected per family)
Technology OptiMOS 5 Trench MOSFET OptiMOS™ (Trench)
Rango de temperatura de funcionamiento -55C to +175C (junction) —
Recuento de pines 8 —
Nivel MSL 1 [DATA_NEEDED: MSL level]
Estado RoHS Compliant Compliant
Packing Tape & Reel (T&R) —
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) — 80 V
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>, T<sub>j</sub>) — 50 A
Maximum Power Dissipation (P<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>) — 58 W
R<sub>DS(on)</sub> (typ., V<sub>GS</sub>=10 V) — 11 mΩ
Gate-Source Voltage (V<sub>GS</sub>) max — [DATA_NEEDED: V_GS_max]
Gate Threshold Voltage (V<sub>GS(th)</sub>) — [DATA_NEEDED: V_GS_th]
Total Gate Charge (Q<sub>G</sub>) — [DATA_NEEDED: Q_G_total]
Temperatura de unión de funcionamiento — -55 °C to +175 °C
Polarity — Single N-Channel

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