IAUCN10S5L280DATMA1 vs IAUCN08S7L110ATMA1 Сравнение
Подробное сравнение бок о бок IAUCN10S5L280DATMA1 от Infineon и IAUCN08S7L110ATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Infineon
IAUCN10S5L280DATMA1 - 100V Dual N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon
IAUCN10S5L280DATMA1 ✓ АктивенСравнение характеристик
| Параметр | IAUCN10S5L280DATMA1 | IAUCN08S7L110ATMA1 |
|---|---|---|
| Бренд | Infineon | Infineon |
| Категория | MOSFETs | MOSFETs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $1,62 | $0,46 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | OptiMOS 5 | — |
| Configuration | Dual N-Channel MOSFET Array | Single |
| Drain-Source Voltage (Vds) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) at Tj | 23 A | — |
| Power Dissipation (Pd) at Tc | 38 W | — |
| Корпус | PG-TDSON-8-61 (SSO8) | PG-TDSON-8-34 (TDSON-8) |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualified | Yes (AEC-Q101, IAU prefix) | Yes (AEC-Q101 expected per family) |
| Technology | OptiMOS 5 Trench MOSFET | OptiMOS™ (Trench) |
| Диапазон рабочих температур | -55C to +175C (junction) | — |
| Число выводов | 8 | — |
| Уровень MSL | 1 | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| Статус RoHS | Compliant | Compliant |
| Packing | Tape & Reel (T&R) | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) | — | 80 V |
| Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>, T<sub>j</sub>) | — | 50 A |
| Maximum Power Dissipation (P<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>) | — | 58 W |
| R<sub>DS(on)</sub> (typ., V<sub>GS</sub>=10 V) | — | 11 mΩ |
| Gate-Source Voltage (V<sub>GS</sub>) max | — | [DATA_NEEDED: V_GS_max] |
| Gate Threshold Voltage (V<sub>GS(th)</sub>) | — | [DATA_NEEDED: V_GS_th] |
| Total Gate Charge (Q<sub>G</sub>) | — | [DATA_NEEDED: Q_G_total] |
| Рабочая температура перехода | — | -55 °C to +175 °C |
| Polarity | — | Single N-Channel |