IAUCN10S7N074ATMA1 vs IAUCN04S7N037GATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IAUCN10S7N074ATMA1 par Infineon et IAUCN04S7N037GATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IAUCN10S7N074ATMA1 - 100V 7.4mΩ N-Channel OptiMOS 7 MOSFET | Infineon
IAUCN10S7N074ATMA1 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | IAUCN10S7N074ATMA1 | IAUCN04S7N037GATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,62 | $0,89 |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | OptiMOS™ 7 (Shielded-Gate Trench) | Trench MOSFET, N-Channel |
| Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) | 78 A (Tj) | — |
| Power Dissipation (P<sub>D</sub>) | 96 W (Tc) | — |
| R<sub>DS(on)</sub> (typ at V<sub>GS</sub>=10 V) | 7.4 mΩ | — |
| Gate-Source Voltage (V<sub>GS</sub>) | ±20 V | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55 °C to +175 °C | [DATA_NEEDED: junction/ambient temperature limits] |
| Boîtier | PG-TDSON-8-34 (TDSON EP, 5x6 mm) | SSO4G 5x6 mm² (PG-THSOG-4-1) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount (IMS substrate attach compatible) |
| Nombre de broches | 8 (with exposed pad) | — |
| Niveau MSL | MSL2 (1 year) | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | AEC-Q101 |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Application | 48 V Automotive Systems | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Series | — | OptiMOS 7 |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tj | — | 91 A |
| On-State Resistance RDS(on) typical | — | 3.65 mΩ at VGS = 10 V |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 57 W |
| Channel Type | — | N-Channel |
| Operating Mode | — | Enhancement |
| Gate Charge (Qg) typical | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/range] |
| Input Capacitance (Ciss) | — | [DATA_NEEDED: Ciss] |