IAUCN10S7N074ATMA1 vs IAUCN04S7N037GATMA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IAUCN10S7N074ATMA1 от Infineon и IAUCN04S7N037GATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
IAUCN10S7N074ATMA1 IAUCN10S7N074ATMA1 - 100V 7.4mΩ N-Channel OptiMOS 7 MOSFET | Infineon

IAUCN10S7N074ATMA1 - 100V 7.4mΩ N-Channel OptiMOS 7 MOSFET | Infineon

IAUCN10S7N074ATMA1 ✓ Активен
Infineon
IAUCN04S7N037GATMA1 IAUCN04S7N037GATMA1 - 40V 91A OptiMOS 7 N-Ch MOSFET | Infineon

IAUCN04S7N037GATMA1 - 40V 91A OptiMOS 7 N-Ch MOSFET | Infineon

IAUCN04S7N037GATMA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IAUCN10S7N074ATMA1 IAUCN04S7N037GATMA1
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,62 $0,89
FET Type N-Channel —
Technology OptiMOS™ 7 (Shielded-Gate Trench) Trench MOSFET, N-Channel
Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) 100 V —
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) 78 A (Tj) —
Power Dissipation (P<sub>D</sub>) 96 W (Tc) —
R<sub>DS(on)</sub> (typ at V<sub>GS</sub>=10 V) 7.4 mΩ —
Gate-Source Voltage (V<sub>GS</sub>) ±20 V —
Диапазон рабочих температур -55 °C to +175 °C [DATA_NEEDED: junction/ambient temperature limits]
Корпус PG-TDSON-8-34 (TDSON EP, 5x6 mm) SSO4G 5x6 mm² (PG-THSOG-4-1)
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount (IMS substrate attach compatible)
Число выводов 8 (with exposed pad) —
Уровень MSL MSL2 (1 year) [DATA_NEEDED: MSL level]
Automotive Qualification AEC-Q101 AEC-Q101
Статус RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Application 48 V Automotive Systems —
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — OptiMOS 7
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID) at Tj — 91 A
On-State Resistance RDS(on) typical — 3.65 mΩ at VGS = 10 V
Power Dissipation (PD) at Tc — 57 W
Channel Type — N-Channel
Operating Mode — Enhancement
Gate Charge (Qg) typical — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/range]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss]

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену