IAUCN10S7N074ATMA1 vs IAUCN04S7N037GATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IAUCN10S7N074ATMA1 por Infineon e IAUCN04S7N037GATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IAUCN10S7N074ATMA1 IAUCN04S7N037GATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,62 $0,89
FET Type N-Channel —
Technology OptiMOS™ 7 (Shielded-Gate Trench) Trench MOSFET, N-Channel
Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) 100 V —
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) 78 A (Tj) —
Power Dissipation (P<sub>D</sub>) 96 W (Tc) —
R<sub>DS(on)</sub> (typ at V<sub>GS</sub>=10 V) 7.4 mΩ —
Gate-Source Voltage (V<sub>GS</sub>) ±20 V —
Faixa de temperatura de operação -55 °C to +175 °C [DATA_NEEDED: junction/ambient temperature limits]
Encapsulamento PG-TDSON-8-34 (TDSON EP, 5x6 mm) SSO4G 5x6 mm² (PG-THSOG-4-1)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount (IMS substrate attach compatible)
Contagem de pinos 8 (with exposed pad) —
Nível MSL MSL2 (1 year) [DATA_NEEDED: MSL level]
Automotive Qualification AEC-Q101 AEC-Q101
Status RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Application 48 V Automotive Systems —
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — OptiMOS 7
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID) at Tj — 91 A
On-State Resistance RDS(on) typical — 3.65 mΩ at VGS = 10 V
Power Dissipation (PD) at Tc — 57 W
Channel Type — N-Channel
Operating Mode — Enhancement
Gate Charge (Qg) typical — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/range]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss]

Fichas técnicas e recursos

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