IAUT300N08S5N012ATMA2 vs IAUS300N08S5N012 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IAUT300N08S5N012ATMA2 par Infineon et IAUS300N08S5N012 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IAUT300N08S5N012ATMA2 - 80V 300A 1.2mΩ N-Ch MOSFET | Infineon
IAUT300N08S5N012ATMA2 ✓ ActifInfineon
IAUS300N08S5N012 - 80V 300A 1.2mΩ OptiMOS 5 Power MOSFET | Infineon
IAUS300N08S5N012 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | IAUT300N08S5N012ATMA2 | IAUS300N08S5N012 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $2,20 | $3,88 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS™-5 80 V | — |
| Type de transistor | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 80 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) | 300 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 1200 A (per datasheet, typical) | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | 1.2 mΩ | — |
| Maximum Power Dissipation (PD, Tc) | 375 W | — |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) | ±20 V | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55 °C to +175 °C (TJ) | -55°C to +175°C |
| Boîtier | PG-HSOF-8-1 (8-pin HSOF with drain tab) | PG-HSOG-8-1 (Surface Mount) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | AEC-Q101 qualified |
| RoHS Compliance | Compliant | RoHS compliant (Green product) |
| Niveau MSL | [DATA_NEEDED: MSL level] | MSL1 (up to 260°C peak reflow) |
| Series | — | OptiMOS 5 |
| FET Type | — | N-Channel, Enhancement Mode |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | — | 300 A |
| On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> Max at VGS=10V | — | 1.2 mΩ typical |
| Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) | — | 3.8 V at 275 µA |
| Power Dissipation (PD) at TC | — | 375 W |
| Avalanche Rating | — | 100% Avalanche tested |
| Technology | — | OptiMOS 5 planar trench |
| Terminals | — | 8 |