IAUT300N08S5N012ATMA2 vs IAUS300N08S5N012 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IAUT300N08S5N012ATMA2 von Infineon und IAUS300N08S5N012 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Infineon
IAUT300N08S5N012ATMA2 IAUT300N08S5N012ATMA2 - 80V 300A 1.2mΩ N-Ch MOSFET | Infineon

IAUT300N08S5N012ATMA2 - 80V 300A 1.2mΩ N-Ch MOSFET | Infineon

IAUT300N08S5N012ATMA2 ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter IAUT300N08S5N012ATMA2 IAUS300N08S5N012
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $2,20 $3,88
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS™-5 80 V —
Transistortyp N-Channel MOSFET —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 80 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) 300 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 1200 A (per datasheet, typical) —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 1.2 mΩ —
Maximum Power Dissipation (PD, Tc) 375 W —
Gate-to-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Betriebstemperaturbereich -55 °C to +175 °C (TJ) -55°C to +175°C
Gehäuse PG-HSOF-8-1 (8-pin HSOF with drain tab) PG-HSOG-8-1 (Surface Mount)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified AEC-Q101 qualified
RoHS Compliance Compliant RoHS compliant (Green product)
MSL-Level [DATA_NEEDED: MSL level] MSL1 (up to 260°C peak reflow)
Series — OptiMOS 5
FET Type — N-Channel, Enhancement Mode
Drain-Source Voltage (VDS) — 80 V
Continuous Drain Current (ID) at TC — 300 A
On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> Max at VGS=10V — 1.2 mΩ typical
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) — 3.8 V at 275 µA
Power Dissipation (PD) at TC — 375 W
Avalanche Rating — 100% Avalanche tested
Technology — OptiMOS 5 planar trench
Terminals — 8

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