IGLT65R035D2ATMA1 vs IDL04G65C5XUMA2 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IGLT65R035D2ATMA1 par Infineon et IDL04G65C5XUMA2 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
IDL04G65C5XUMA2 IDL04G65C5XUMA2 - 650V 4A SiC Schottky Diode | Infineon

IDL04G65C5XUMA2 - 650V 4A SiC Schottky Diode | Infineon

IDL04G65C5XUMA2 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre IGLT65R035D2ATMA1 IDL04G65C5XUMA2
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs Diodes
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $5,10 $0,92
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family CoolGaN™ G5 TOLT CoolSiC™ Schottky Diode Generation 5
Type de transistor N-Channel enhancement-mode GaN HEMT —
Drain-Source Voltage (Vdss) 650 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tc 47 A —
Maximum Power Dissipation (Pd) at Tc 154 W —
On-Resistance (Rds(on)) [DATA_NEEDED: typical Rds(on) in mohm] —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) [DATA_NEEDED: typical Vgs(th)] —
Input Capacitance (Ciss) at Vds=400V 540 pF —
Plage de température de fonctionnement [DATA_NEEDED: Tj min/max] —
Boîtier PG-HDSOP-16-8 (top-side cooled) PG-VSON-4 (DPAK real2pin) Surface Mount
Type de montage Surface Mount Surface Mount, Tape & Reel
Cooling Configuration Top-side cooled (TOLT) —
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Statut RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
Production Wafer Size 200 mm (8 inch) —
Diode Type — Silicon Carbide (SiC) Schottky
Repetitive Peak Reverse Voltage (V_RRM) — 650 V
Continuous Forward Current (I_F(AV)) — 4 A
Total Capacitive Charge (Q_C) — 7 nC (typical)
Forward Voltage (V_F) — 1.7 V at 4 A (typical, per datasheet)
Reverse Leakage Current (I_R) — 70 µA at 650 V
Junction Capacitance (C_J) — 130 pF at 1 V, 1 MHz
Reverse Recovery Time (t_rr) — 0 ns (Schottky, no minority-carrier storage)
Température de jonction en fonctionnement — -55°C to +175°C
Nombre de broches — 4 (with exposed thermal pad)
RoHS / REACH — RoHS Compliant (per Infineon product page)

Fiches techniques et ressources

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