IGLT65R035D2ATMA1 vs IDL04G65C5XUMA2 比較

詳細な並列比較: IGLT65R035D2ATMA1 メーカー: Infineon および IDL04G65C5XUMA2 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IGLT65R035D2ATMA1 IGLT65R035D2ATMA1 - 650V 47A CoolGaN™ G5 Transistor | Infineon

IGLT65R035D2ATMA1 - 650V 47A CoolGaN™ G5 Transistor | Infineon

IGLT65R035D2ATMA1 ✓ 生産中
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IDL04G65C5XUMA2 IDL04G65C5XUMA2 - 650V 4A SiC Schottky Diode | Infineon

IDL04G65C5XUMA2 - 650V 4A SiC Schottky Diode | Infineon

IDL04G65C5XUMA2 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IGLT65R035D2ATMA1 IDL04G65C5XUMA2
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs Diodes
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $5.10 $0.92
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family CoolGaN™ G5 TOLT CoolSiC™ Schottky Diode Generation 5
トランジスタタイプ N-Channel enhancement-mode GaN HEMT —
Drain-Source Voltage (Vdss) 650 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tc 47 A —
Maximum Power Dissipation (Pd) at Tc 154 W —
On-Resistance (Rds(on)) [DATA_NEEDED: typical Rds(on) in mohm] —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) [DATA_NEEDED: typical Vgs(th)] —
Input Capacitance (Ciss) at Vds=400V 540 pF —
動作温度範囲 [DATA_NEEDED: Tj min/max] —
パッケージ PG-HDSOP-16-8 (top-side cooled) PG-VSON-4 (DPAK real2pin) Surface Mount
実装タイプ Surface Mount Surface Mount, Tape & Reel
Cooling Configuration Top-side cooled (TOLT) —
MSLレベル [DATA_NEEDED: MSL rating] —
RoHS ステータス Compliant —
Lead-Free Yes —
Production Wafer Size 200 mm (8 inch) —
Diode Type — Silicon Carbide (SiC) Schottky
Repetitive Peak Reverse Voltage (V_RRM) — 650 V
Continuous Forward Current (I_F(AV)) — 4 A
Total Capacitive Charge (Q_C) — 7 nC (typical)
Forward Voltage (V_F) — 1.7 V at 4 A (typical, per datasheet)
Reverse Leakage Current (I_R) — 70 µA at 650 V
Junction Capacitance (C_J) — 130 pF at 1 V, 1 MHz
Reverse Recovery Time (t_rr) — 0 ns (Schottky, no minority-carrier storage)
動作接合温度 — -55°C to +175°C
ピン数 — 4 (with exposed thermal pad)
RoHS / REACH — RoHS Compliant (per Infineon product page)

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