IGLT65R035D2ATMA1 vs IGLR70R200D2SXUMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IGLT65R035D2ATMA1 par Infineon et IGLR70R200D2SXUMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
IGLR70R200D2SXUMA1 IGLR70R200D2SXUMA1 - 700V 9.3A GaN FET, 200mΩ | Infineon

IGLR70R200D2SXUMA1 - 700V 9.3A GaN FET, 200mΩ | Infineon

IGLR70R200D2SXUMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre IGLT65R035D2ATMA1 IGLR70R200D2SXUMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $5,10 $1,24
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family CoolGaN™ G5 TOLT CoolGaN G5
Type de transistor N-Channel enhancement-mode GaN HEMT —
Drain-Source Voltage (Vdss) 650 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tc 47 A —
Maximum Power Dissipation (Pd) at Tc 154 W —
On-Resistance (Rds(on)) [DATA_NEEDED: typical Rds(on) in mohm] —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) [DATA_NEEDED: typical Vgs(th)] —
Input Capacitance (Ciss) at Vds=400V 540 pF —
Plage de température de fonctionnement [DATA_NEEDED: Tj min/max] -40 °C to +150 °C
Boîtier PG-HDSOP-16-8 (top-side cooled) PG-TSON-8-8 (surface mount, ThinPAK top-cooled)
Type de montage Surface Mount —
Cooling Configuration Top-side cooled (TOLT) —
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Statut RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
Production Wafer Size 200 mm (8 inch) —
Channel Type — N-Channel
Technology — GaN HEMT (E-mode, enhancement-mode)
Drain-Source Voltage (VDS) — 700 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 9.3 A
Power Dissipation (PD, Tc) — 34 W
On-Resistance (RDS(on), max) — 200 mΩ
Total Gate Charge (Qg) — 1.26 nC
Output Capacitance (Coss) — 91 pF
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — 0.21 pF
Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) — 1.2 V
RoHS — Compliant

Fiches techniques et ressources

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