IGLT65R035D2ATMA1 vs IGLR70R200D2SXUMA1 比較

詳細な並列比較: IGLT65R035D2ATMA1 メーカー: Infineon および IGLR70R200D2SXUMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Infineon
IGLT65R035D2ATMA1 IGLT65R035D2ATMA1 - 650V 47A CoolGaN™ G5 Transistor | Infineon

IGLT65R035D2ATMA1 - 650V 47A CoolGaN™ G5 Transistor | Infineon

IGLT65R035D2ATMA1 ✓ 生産中
Infineon
IGLR70R200D2SXUMA1 IGLR70R200D2SXUMA1 - 700V 9.3A GaN FET, 200mΩ | Infineon

IGLR70R200D2SXUMA1 - 700V 9.3A GaN FET, 200mΩ | Infineon

IGLR70R200D2SXUMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IGLT65R035D2ATMA1 IGLR70R200D2SXUMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $5.10 $1.24
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family CoolGaN™ G5 TOLT CoolGaN G5
トランジスタタイプ N-Channel enhancement-mode GaN HEMT —
Drain-Source Voltage (Vdss) 650 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tc 47 A —
Maximum Power Dissipation (Pd) at Tc 154 W —
On-Resistance (Rds(on)) [DATA_NEEDED: typical Rds(on) in mohm] —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) [DATA_NEEDED: typical Vgs(th)] —
Input Capacitance (Ciss) at Vds=400V 540 pF —
動作温度範囲 [DATA_NEEDED: Tj min/max] -40 °C to +150 °C
パッケージ PG-HDSOP-16-8 (top-side cooled) PG-TSON-8-8 (surface mount, ThinPAK top-cooled)
実装タイプ Surface Mount —
Cooling Configuration Top-side cooled (TOLT) —
MSLレベル [DATA_NEEDED: MSL rating] —
RoHS ステータス Compliant —
Lead-Free Yes —
Production Wafer Size 200 mm (8 inch) —
Channel Type — N-Channel
Technology — GaN HEMT (E-mode, enhancement-mode)
Drain-Source Voltage (VDS) — 700 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 9.3 A
Power Dissipation (PD, Tc) — 34 W
On-Resistance (RDS(on), max) — 200 mΩ
Total Gate Charge (Qg) — 1.26 nC
Output Capacitance (Coss) — 91 pF
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — 0.21 pF
Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) — 1.2 V
RoHS — Compliant

データシート&リソース

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