IGLT65R035D2ATMA1 vs IGLR70R200D2SXUMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: IGLT65R035D2ATMA1 제조: Infineon 및 IGLR70R200D2SXUMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Infineon
IGLR70R200D2SXUMA1 IGLR70R200D2SXUMA1 - 700V 9.3A GaN FET, 200mΩ | Infineon

IGLR70R200D2SXUMA1 - 700V 9.3A GaN FET, 200mΩ | Infineon

IGLR70R200D2SXUMA1 ✓ 활성

사양 비교

파라미터 IGLT65R035D2ATMA1 IGLR70R200D2SXUMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $5.10 $1.24
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family CoolGaN™ G5 TOLT CoolGaN G5
트랜지스터 유형 N-Channel enhancement-mode GaN HEMT —
Drain-Source Voltage (Vdss) 650 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tc 47 A —
Maximum Power Dissipation (Pd) at Tc 154 W —
On-Resistance (Rds(on)) [DATA_NEEDED: typical Rds(on) in mohm] —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) [DATA_NEEDED: typical Vgs(th)] —
Input Capacitance (Ciss) at Vds=400V 540 pF —
동작 온도 범위 [DATA_NEEDED: Tj min/max] -40 °C to +150 °C
패키지 PG-HDSOP-16-8 (top-side cooled) PG-TSON-8-8 (surface mount, ThinPAK top-cooled)
실장 유형 Surface Mount —
Cooling Configuration Top-side cooled (TOLT) —
MSL 레벨 [DATA_NEEDED: MSL rating] —
RoHS 상태 Compliant —
Lead-Free Yes —
Production Wafer Size 200 mm (8 inch) —
Channel Type — N-Channel
Technology — GaN HEMT (E-mode, enhancement-mode)
Drain-Source Voltage (VDS) — 700 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 9.3 A
Power Dissipation (PD, Tc) — 34 W
On-Resistance (RDS(on), max) — 200 mΩ
Total Gate Charge (Qg) — 1.26 nC
Output Capacitance (Coss) — 91 pF
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — 0.21 pF
Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) — 1.2 V
RoHS — Compliant

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