IKD10N60RC2ATMA1 vs IKD04N60RATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IKD10N60RC2ATMA1 par Infineon et IKD04N60RATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
IKD10N60RC2ATMA1 IKD10N60RC2ATMA1 - 600V 10A RC2 IGBT w/ Diode | Infineon

IKD10N60RC2ATMA1 - 600V 10A RC2 IGBT w/ Diode | Infineon

IKD10N60RC2ATMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre IKD10N60RC2ATMA1 IKD04N60RATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie IGBTs IGBTs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,83 $0,92
Collector-Emitter Voltage (V_CE) 600 V —
Continuous Collector Current (I_C nom) 10 A —
Pulsed Collector Current (I_Cp) 18.8 A —
Maximum Power Dissipation (P_tot) 79 W —
Technology TRENCHSTOP RC2 (Trench Field Stop IGBT with monolithically integrated diode) —
Integrated Diode Yes - reverse-conducting 2-diode co-packed —
Boîtier PG-TO252-3 (DPAK, surface mount) PG-TO252-3 (DPAK)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Plage de température de fonctionnement -40 C to +175 C (junction) -40C to +150C
Gate-Emitter Voltage (V_GE) [DATA_NEEDED: recommended V_GE value] —
V_CE(sat) at I_C [DATA_NEEDED: typical V_CE(sat)] —
Switching Frequency (typical) 10 - 30 kHz (hard-switching) —
Short-Circuit Withstand Time [DATA_NEEDED: t_sc rating] —
Statut RoHS Compliant Compliant
Qualification Industrial (qualified per Infineon product validation) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — RC-Drives
Type de transistor — IGBT - Trench Field Stop with integrated diode
Collector-Emitter Voltage (VCES) — 600 V
Continuous Collector Current (IC) at TC=25C — 8 A
Pulsed Collector Current (ICM) — [DATA_NEEDED: pulsed collector current]
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 75 W
Gate-Emitter Voltage (VGES) — [DATA_NEEDED: gate-emitter voltage rating]
VCE(sat) at IC=4A, VGE=15V — [DATA_NEEDED: VCE(sat) typical at 4A]
Gate Threshold Voltage (VGE(th)) — [DATA_NEEDED: VGE(th)]
Integrated Anti-Parallel Diode — Yes
Nombre de broches — 3 (2 leads + tab)
Configuration — Single
Niveau MSL — 1
Technology Target — Consumer drives / motor control

Fiches techniques et ressources

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