IMW120R045M1H vs IMZ120R045M1H Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IMW120R045M1H par Infineon et IMZ120R045M1H par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IMW120R045M1H IMZ120R045M1H
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,00 $17,95
Technology CoolSiC SiC Trench MOSFET CoolSiC™ 1200 V SiC Trench MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 1200 V —
On-Resistance (RDS(on)) 45 mOhm at Tj = 25C —
Continuous Drain Current (ID) 52 A at Tc = 25C —
Dissipation de puissance (Ptot) 228 W at Tc = 25C —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 4.5 V —
Recommended Turn-On Gate Voltage 15 V —
Turn-Off Gate Voltage 0 V —
Configuration Single N-channel with built-in body diode —
Type de montage Through Hole Through-hole
Boîtier PG-TO247-3-41 (TO-247-3) TO-247-4 (PG-TO247-4-1)
Qualification Industrial grade JEDEC 47/20/22 (industrial)
Gate Drive Compatibility IGBT-compatible gate drive —
dv/dt Control Fully controllable via gate resistor —
Body Diode Robust, suitable for synchronous rectification Commutation-robust, synchronous-rectification ready
Turn-Off Switching Losses Temperature independent —
Manufacturer Recommended Operating Margin Do not exceed 80% of maximum ratings for optimum lifetime —
Drain-Source Voltage (VDS max) — 1200 V
On-Resistance RDS(on) at 25°C — 45 mΩ
Continuous Drain Current (ID at Tc=25°C) — 52 A
Total Power Dissipation at Tc=25°C — 228 W
Gate Threshold Voltage VGS(th) — 4.5 V (typical)
Turn-off Gate Voltage — 0 V capable
Température de jonction en fonctionnement — -55 °C to +175 °C
Polarity — N-Channel
Driver Source Pin (Kelvin) — Yes - dedicated sense/source pin
Statut RoHS — Compliant

Fiches techniques et ressources

Parcourir tous les produits Créer un BOM Demander un devis