IMW120R045M1H vs IMZ120R045M1H Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IMW120R045M1H por Infineon e IMZ120R045M1H por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IMW120R045M1H IMZ120R045M1H
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,00 $17,95
Technology CoolSiC SiC Trench MOSFET CoolSiC™ 1200 V SiC Trench MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 1200 V —
On-Resistance (RDS(on)) 45 mOhm at Tj = 25C —
Continuous Drain Current (ID) 52 A at Tc = 25C —
Dissipação de potência (Ptot) 228 W at Tc = 25C —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 4.5 V —
Recommended Turn-On Gate Voltage 15 V —
Turn-Off Gate Voltage 0 V —
Configuration Single N-channel with built-in body diode —
Tipo de montagem Through Hole Through-hole
Encapsulamento PG-TO247-3-41 (TO-247-3) TO-247-4 (PG-TO247-4-1)
Qualification Industrial grade JEDEC 47/20/22 (industrial)
Gate Drive Compatibility IGBT-compatible gate drive —
dv/dt Control Fully controllable via gate resistor —
Body Diode Robust, suitable for synchronous rectification Commutation-robust, synchronous-rectification ready
Turn-Off Switching Losses Temperature independent —
Manufacturer Recommended Operating Margin Do not exceed 80% of maximum ratings for optimum lifetime —
Drain-Source Voltage (VDS max) — 1200 V
On-Resistance RDS(on) at 25°C — 45 mΩ
Continuous Drain Current (ID at Tc=25°C) — 52 A
Total Power Dissipation at Tc=25°C — 228 W
Gate Threshold Voltage VGS(th) — 4.5 V (typical)
Turn-off Gate Voltage — 0 V capable
Temperatura de junção de operação — -55 °C to +175 °C
Polarity — N-Channel
Driver Source Pin (Kelvin) — Yes - dedicated sense/source pin
Status RoHS — Compliant

Fichas técnicas e recursos

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