IPB038N12N3GATMA1 vs IPB017N10N5LFATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPB038N12N3GATMA1 par Infineon et IPB017N10N5LFATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IPB038N12N3GATMA1 IPB017N10N5LFATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,78 $4,05
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 120V —
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (Vdss) 120 V —
Continuous Drain Current (Id) @ Tc 120 A —
Power Dissipation (Pd) @ Tc 300 W —
On-State Resistance (Rds(on)) 3.8 mOhm (typical) —
Boîtier / Format PG-TO263-3 (D2PAK) PG-TO263-7 (D2PAK-7), surface mount
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS trench MOSFET MOSFET (Metal Oxide Semiconductor)
Gate Drive Logic-level compatible —
Plage de température de fonctionnement -55C to +175C (junction) -55C to +175C (junction)
Standard Package Quantity 1000 (Tape & Reel) —
Statut RoHS Compliant Compliant
Avalanche Rated Yes Yes
Series — OptiMOS 5 Linear FET
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) @ TC=25C — 180 A
Continuous Drain Current (ID) @ TC=100C — [DATA_NEEDED: ID at TC=100C]
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM]
Maximum Power Dissipation (PD) @ TC=25C — 313 W
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) @ VGS=10V — 1.7 mΩ (max)
Gate-Source Voltage (VGS) Max — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th)]
Niveau MSL — 1 (unlimited)
Linear-Mode (SOA) Optimized — Yes (OptiMOS Linear FET)

Fiches techniques et ressources

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