IPB038N12N3GATMA1 vs IPB017N10N5LFATMA1 비교
다음의 상세 나란히 비교: IPB038N12N3GATMA1 제조: Infineon 및 IPB017N10N5LFATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | IPB038N12N3GATMA1 | IPB017N10N5LFATMA1 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | MOSFETs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $1.78 | $4.05 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 120V | — |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (Vdss) | 120 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) @ Tc | 120 A | — |
| Power Dissipation (Pd) @ Tc | 300 W | — |
| On-State Resistance (Rds(on)) | 3.8 mOhm (typical) | — |
| 패키지 / 케이스 | PG-TO263-3 (D2PAK) | PG-TO263-7 (D2PAK-7), surface mount |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS trench MOSFET | MOSFET (Metal Oxide Semiconductor) |
| Gate Drive | Logic-level compatible | — |
| 동작 온도 범위 | -55C to +175C (junction) | -55C to +175C (junction) |
| Standard Package Quantity | 1000 (Tape & Reel) | — |
| RoHS 상태 | Compliant | Compliant |
| Avalanche Rated | Yes | Yes |
| Series | — | OptiMOS 5 Linear FET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) @ TC=25C | — | 180 A |
| Continuous Drain Current (ID) @ TC=100C | — | [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: IDM] |
| Maximum Power Dissipation (PD) @ TC=25C | — | 313 W |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) @ VGS=10V | — | 1.7 mΩ (max) |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | — | ±20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th)] |
| MSL 레벨 | — | 1 (unlimited) |
| Linear-Mode (SOA) Optimized | — | Yes (OptiMOS Linear FET) |