IPB110P06LMATMA1 vs IPB051N15NM6ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPB110P06LMATMA1 par Infineon et IPB051N15NM6ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IPB110P06LMATMA1 IPB051N15NM6ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,31 $2,02
FET Type P-Channel N-Channel
Technology OptiMOS (trench MOSFET) —
Drain-Source Voltage (VDS) -60 V 150 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C -100 A 139 A
Maximum Power Dissipation (PD) at TC=25C 300 W —
On-State Resistance (RDS(on) max) at VGS=10V 11 mOhm @ ID=100A —
Gate Threshold Voltage (VGS(th) max) 2 V @ ID=5.55 mA —
Gate-Source Voltage (VGS max) +/-20 V —
Plage de température de fonctionnement -55 C to +175 C (TJ) -55C to +175C
Boîtier / Format PG-TO263-3-2 (D2PAK, TO-263AB, 2 leads + tab) PG-TO263-3-2 (D2PAK)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Supplier Device Package PG-TO263-3-2 —
Gate Drive Level Logic-level compatible —
Statut RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 6
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 18 A
RDS(on) Typical at VGS=10 V — 5.1 mOhm
Gate Charge (Qg) Typical — 51 nC
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 3.8 W
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 234 W
Nombre de broches — 3 (Drain, Source, Gate)
Niveau MSL — 1 (per JEDEC J-STD-020)
Avalanche Rated — Yes

Fiches techniques et ressources

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