IPB110P06LMATMA1 vs IPB051N15NM6ATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IPB110P06LMATMA1 por Infineon y IPB051N15NM6ATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Infineon
IPB110P06LMATMA1 IPB110P06LMATMA1 - P-Ch 60V 100A OptiMOS MOSFET | Infineon

IPB110P06LMATMA1 - P-Ch 60V 100A OptiMOS MOSFET | Infineon

IPB110P06LMATMA1 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro IPB110P06LMATMA1 IPB051N15NM6ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $1,31 $2,02
FET Type P-Channel N-Channel
Technology OptiMOS (trench MOSFET) —
Drain-Source Voltage (VDS) -60 V 150 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C -100 A 139 A
Maximum Power Dissipation (PD) at TC=25C 300 W —
On-State Resistance (RDS(on) max) at VGS=10V 11 mOhm @ ID=100A —
Gate Threshold Voltage (VGS(th) max) 2 V @ ID=5.55 mA —
Gate-Source Voltage (VGS max) +/-20 V —
Rango de temperatura de funcionamiento -55 C to +175 C (TJ) -55C to +175C
Encapsulado / Carcasa PG-TO263-3-2 (D2PAK, TO-263AB, 2 leads + tab) PG-TO263-3-2 (D2PAK)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Supplier Device Package PG-TO263-3-2 —
Gate Drive Level Logic-level compatible —
Estado RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 6
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 18 A
RDS(on) Typical at VGS=10 V — 5.1 mOhm
Gate Charge (Qg) Typical — 51 nC
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 3.8 W
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 234 W
Recuento de pines — 3 (Drain, Source, Gate)
Nivel MSL — 1 (per JEDEC J-STD-020)
Avalanche Rated — Yes

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