IPB110P06LMATMA1 vs IPB051N15NM6ATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPB110P06LMATMA1 por Infineon e IPB051N15NM6ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IPB110P06LMATMA1 IPB051N15NM6ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,31 $2,02
FET Type P-Channel N-Channel
Technology OptiMOS (trench MOSFET) —
Drain-Source Voltage (VDS) -60 V 150 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C -100 A 139 A
Maximum Power Dissipation (PD) at TC=25C 300 W —
On-State Resistance (RDS(on) max) at VGS=10V 11 mOhm @ ID=100A —
Gate Threshold Voltage (VGS(th) max) 2 V @ ID=5.55 mA —
Gate-Source Voltage (VGS max) +/-20 V —
Faixa de temperatura de operação -55 C to +175 C (TJ) -55C to +175C
Encapsulamento / Caixa PG-TO263-3-2 (D2PAK, TO-263AB, 2 leads + tab) PG-TO263-3-2 (D2PAK)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Supplier Device Package PG-TO263-3-2 —
Gate Drive Level Logic-level compatible —
Status RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 6
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 18 A
RDS(on) Typical at VGS=10 V — 5.1 mOhm
Gate Charge (Qg) Typical — 51 nC
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 3.8 W
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 234 W
Contagem de pinos — 3 (Drain, Source, Gate)
Nível MSL — 1 (per JEDEC J-STD-020)
Avalanche Rated — Yes

Fichas técnicas e recursos

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