IPB110P06LMATMA1 vs IPB051N15NM6ATMA1 Сравнение
Подробное сравнение бок о бок IPB110P06LMATMA1 от Infineon и IPB051N15NM6ATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Infineon
IPB051N15NM6ATMA1 - 150V 5.1mOhm OptiMOS 6 N-Channel MOSFET | Infineon
IPB051N15NM6ATMA1 ✓ АктивенСравнение характеристик
| Параметр | IPB110P06LMATMA1 | IPB051N15NM6ATMA1 |
|---|---|---|
| Бренд | Infineon | Infineon |
| Категория | MOSFETs | MOSFETs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $1,31 | $2,02 |
| FET Type | P-Channel | N-Channel |
| Technology | OptiMOS (trench MOSFET) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | -60 V | 150 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | -100 A | 139 A |
| Maximum Power Dissipation (PD) at TC=25C | 300 W | — |
| On-State Resistance (RDS(on) max) at VGS=10V | 11 mOhm @ ID=100A | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th) max) | 2 V @ ID=5.55 mA | — |
| Gate-Source Voltage (VGS max) | +/-20 V | — |
| Диапазон рабочих температур | -55 C to +175 C (TJ) | -55C to +175C |
| Корпус / Типоразмер | PG-TO263-3-2 (D2PAK, TO-263AB, 2 leads + tab) | PG-TO263-3-2 (D2PAK) |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3-2 | — |
| Gate Drive Level | Logic-level compatible | — |
| Статус RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Family | — | OptiMOS 6 |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | — | 18 A |
| RDS(on) Typical at VGS=10 V | — | 5.1 mOhm |
| Gate Charge (Qg) Typical | — | 51 nC |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | — | 3.8 W |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | — | 234 W |
| Число выводов | — | 3 (Drain, Source, Gate) |
| Уровень MSL | — | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Avalanche Rated | — | Yes |