IPC100N04S5L1R5ATMA1 vs IAUCN04S7L014ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPC100N04S5L1R5ATMA1 par Infineon et IAUCN04S7L014ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
IPC100N04S5L1R5ATMA1 IPC100N04S5L1R5ATMA1 - 40V 100A OptiMOS-5 N-MOSFET | Infineon

IPC100N04S5L1R5ATMA1 - 40V 100A OptiMOS-5 N-MOSFET | Infineon

IPC100N04S5L1R5ATMA1 ✓ Actif
Infineon
IAUCN04S7L014ATMA1 IAUCN04S7L014ATMA1 - 40V 120A OptiMOS N-MOSFET | Infineon

IAUCN04S7L014ATMA1 - 40V 120A OptiMOS N-MOSFET | Infineon

IAUCN04S7L014ATMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre IPC100N04S5L1R5ATMA1 IAUCN04S7L014ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,18 $1,38
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS-5 40 V —
Polarity / Channel Type N-Channel, Enhancement Mode —
Drain-Source Voltage (VDS) Max 40 V —
Gate-Source Voltage (VGS) Max 20 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM] —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 115 W —
On-Resistance RDS(on) at VGS=10 V 1.5 mOhm (typ) —
On-Resistance RDS(on) at VGS=4.5 V 1.8 mOhm (typ) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typ] —
Plage de température de fonctionnement -55C to +175C -55°C to +175°C (typical automotive MOSFET range)
Boîtier PG-TDSON-8-34 (SS08 leadless) PG-TDSON-8-34 (TDSON EP, 8-pin)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Niveau MSL MSL1 (260C peak reflow) 1 (per JEDEC J-STD-020)
AEC-Q101 Qualified Yes —
Statut RoHS Compliant (Green Product) Compliant
Avalanche Tested 100% —
Series — OptiMOS 5 40V Automotive
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID) — 120 A
On-Resistance RDS(on) Max — 1.43 mΩ
Tension de seuil de grille — [DATA_NEEDED: Gate threshold voltage]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Total gate charge Qg]
Power Dissipation (Pd) — [DATA_NEEDED: Power dissipation Pd]
Qualification — AEC-Q101 (Automotive)
Configuration — Single N-Channel MOSFET

Fiches techniques et ressources

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