IPC100N04S5L1R5ATMA1 vs IAUCN04S7L014ATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPC100N04S5L1R5ATMA1 por Infineon e IAUCN04S7L014ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Infineon
IPC100N04S5L1R5ATMA1 IPC100N04S5L1R5ATMA1 - 40V 100A OptiMOS-5 N-MOSFET | Infineon

IPC100N04S5L1R5ATMA1 - 40V 100A OptiMOS-5 N-MOSFET | Infineon

IPC100N04S5L1R5ATMA1 ✓ Ativo
Infineon
IAUCN04S7L014ATMA1 IAUCN04S7L014ATMA1 - 40V 120A OptiMOS N-MOSFET | Infineon

IAUCN04S7L014ATMA1 - 40V 120A OptiMOS N-MOSFET | Infineon

IAUCN04S7L014ATMA1 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro IPC100N04S5L1R5ATMA1 IAUCN04S7L014ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,18 $1,38
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS-5 40 V —
Polarity / Channel Type N-Channel, Enhancement Mode —
Drain-Source Voltage (VDS) Max 40 V —
Gate-Source Voltage (VGS) Max 20 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM] —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 115 W —
On-Resistance RDS(on) at VGS=10 V 1.5 mOhm (typ) —
On-Resistance RDS(on) at VGS=4.5 V 1.8 mOhm (typ) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typ] —
Faixa de temperatura de operação -55C to +175C -55°C to +175°C (typical automotive MOSFET range)
Encapsulamento PG-TDSON-8-34 (SS08 leadless) PG-TDSON-8-34 (TDSON EP, 8-pin)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Nível MSL MSL1 (260C peak reflow) 1 (per JEDEC J-STD-020)
AEC-Q101 Qualified Yes —
Status RoHS Compliant (Green Product) Compliant
Avalanche Tested 100% —
Series — OptiMOS 5 40V Automotive
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID) — 120 A
On-Resistance RDS(on) Max — 1.43 mΩ
Tensão de limiar de gate — [DATA_NEEDED: Gate threshold voltage]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Total gate charge Qg]
Power Dissipation (Pd) — [DATA_NEEDED: Power dissipation Pd]
Qualification — AEC-Q101 (Automotive)
Configuration — Single N-Channel MOSFET

Fichas técnicas e recursos

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