IPC50N04S55R8ATMA1 vs IPC70N04S5L4R2ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPC50N04S55R8ATMA1 par Infineon et IPC70N04S5L4R2ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
IPC50N04S55R8ATMA1 IPC50N04S55R8ATMA1 - 40V 50A OptiMOS 5 N-FET | Infineon

IPC50N04S55R8ATMA1 - 40V 50A OptiMOS 5 N-FET | Infineon

IPC50N04S55R8ATMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre IPC50N04S55R8ATMA1 IPC70N04S5L4R2ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,61 $0,78
FET Type N-Channel N-Channel
Technology OptiMOS 5 (trench MOSFET) MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source Voltage (V_DS) 40 V —
Continuous Drain Current (I_D) at Tc 50 A —
Power Dissipation (P_D) at Tc 42 W —
R_DS(on) Max (V_GS=10V) 5.8 mΩ —
Output Capacitance (C_oss) 305 pF —
Gate Threshold (V_GS(th)) [DATA_NEEDED: V_GS(th)] —
Plage de température de fonctionnement -55 °C to +175 °C —
Boîtier PG-TDSON-8-33 (TDSON EP) PG-TDSON-8-34 (Surface Mount)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Niveau MSL MSL1 (260 °C peak reflow) MSL1 (up to 260°C peak reflow)
Automotive Qualification AEC-Q101 AEC-Q101
Avalanche Rating 100% Avalanche Tested —
RoHS / Green RoHS compliant, Green Product —
Polarity Enhancement Mode —
Drain to Source Voltage (Vdss) — 40 V
Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25°C — 70 A
Power Dissipation (Pd) @ Tc=25°C — 50 W
R_DS(on) Max @ Vgs=10V — 4.2 mΩ (typ)
Gate Threshold (Vgs(th)) — Logic Level (4.5 V max Rds On, Min Rds On)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) — 4.5 V
Operating Temperature (Tj) — -55°C to +175°C
Avalanche Tested — 100% (60 A production test)
Statut RoHS — Compliant (Green Product)
Configuration — Single with Built-in Diode
Case Connection — DRAIN

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