IPC50N04S55R8ATMA1 vs IPC70N04S5L4R2ATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPC50N04S55R8ATMA1 por Infineon e IPC70N04S5L4R2ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Infineon
IPC50N04S55R8ATMA1 IPC50N04S55R8ATMA1 - 40V 50A OptiMOS 5 N-FET | Infineon

IPC50N04S55R8ATMA1 - 40V 50A OptiMOS 5 N-FET | Infineon

IPC50N04S55R8ATMA1 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro IPC50N04S55R8ATMA1 IPC70N04S5L4R2ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,61 $0,78
FET Type N-Channel N-Channel
Technology OptiMOS 5 (trench MOSFET) MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source Voltage (V_DS) 40 V —
Continuous Drain Current (I_D) at Tc 50 A —
Power Dissipation (P_D) at Tc 42 W —
R_DS(on) Max (V_GS=10V) 5.8 mΩ —
Output Capacitance (C_oss) 305 pF —
Gate Threshold (V_GS(th)) [DATA_NEEDED: V_GS(th)] —
Faixa de temperatura de operação -55 °C to +175 °C —
Encapsulamento PG-TDSON-8-33 (TDSON EP) PG-TDSON-8-34 (Surface Mount)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Nível MSL MSL1 (260 °C peak reflow) MSL1 (up to 260°C peak reflow)
Automotive Qualification AEC-Q101 AEC-Q101
Avalanche Rating 100% Avalanche Tested —
RoHS / Green RoHS compliant, Green Product —
Polarity Enhancement Mode —
Drain to Source Voltage (Vdss) — 40 V
Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25°C — 70 A
Power Dissipation (Pd) @ Tc=25°C — 50 W
R_DS(on) Max @ Vgs=10V — 4.2 mΩ (typ)
Gate Threshold (Vgs(th)) — Logic Level (4.5 V max Rds On, Min Rds On)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) — 4.5 V
Operating Temperature (Tj) — -55°C to +175°C
Avalanche Tested — 100% (60 A production test)
Status RoHS — Compliant (Green Product)
Configuration — Single with Built-in Diode
Case Connection — DRAIN

Fichas técnicas e recursos

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