IPC50N04S55R8ATMA1 vs IPC70N04S5L4R2ATMA1 比較

詳細な並列比較: IPC50N04S55R8ATMA1 メーカー: Infineon および IPC70N04S5L4R2ATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Infineon
IPC50N04S55R8ATMA1 IPC50N04S55R8ATMA1 - 40V 50A OptiMOS 5 N-FET | Infineon

IPC50N04S55R8ATMA1 - 40V 50A OptiMOS 5 N-FET | Infineon

IPC50N04S55R8ATMA1 ✓ 生産中
Infineon
IPC70N04S5L4R2ATMA1 IPC70N04S5L4R2ATMA1 - 40V 70A OptiMOS 5 N-Ch MOSFET | Infineon

IPC70N04S5L4R2ATMA1 - 40V 70A OptiMOS 5 N-Ch MOSFET | Infineon

IPC70N04S5L4R2ATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IPC50N04S55R8ATMA1 IPC70N04S5L4R2ATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.61 $0.78
FET Type N-Channel N-Channel
Technology OptiMOS 5 (trench MOSFET) MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source Voltage (V_DS) 40 V —
Continuous Drain Current (I_D) at Tc 50 A —
Power Dissipation (P_D) at Tc 42 W —
R_DS(on) Max (V_GS=10V) 5.8 mΩ —
Output Capacitance (C_oss) 305 pF —
Gate Threshold (V_GS(th)) [DATA_NEEDED: V_GS(th)] —
動作温度範囲 -55 °C to +175 °C —
パッケージ PG-TDSON-8-33 (TDSON EP) PG-TDSON-8-34 (Surface Mount)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
MSLレベル MSL1 (260 °C peak reflow) MSL1 (up to 260°C peak reflow)
Automotive Qualification AEC-Q101 AEC-Q101
Avalanche Rating 100% Avalanche Tested —
RoHS / Green RoHS compliant, Green Product —
Polarity Enhancement Mode —
Drain to Source Voltage (Vdss) — 40 V
Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25°C — 70 A
Power Dissipation (Pd) @ Tc=25°C — 50 W
R_DS(on) Max @ Vgs=10V — 4.2 mΩ (typ)
Gate Threshold (Vgs(th)) — Logic Level (4.5 V max Rds On, Min Rds On)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) — 4.5 V
Operating Temperature (Tj) — -55°C to +175°C
Avalanche Tested — 100% (60 A production test)
RoHS ステータス — Compliant (Green Product)
Configuration — Single with Built-in Diode
Case Connection — DRAIN

データシート&リソース

すべての製品を閲覧 BOMを作成 見積もり依頼