IPD600N25N3GATMA1 vs IPD60R1K0PFD7SAUMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPD600N25N3GATMA1 par Infineon et IPD60R1K0PFD7SAUMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
IPD60R1K0PFD7SAUMA1 IPD60R1K0PFD7SAUMA1 - 600V 1Ω CoolMOS PFD7 | Infineon | DPAK

IPD60R1K0PFD7SAUMA1 - 600V 1Ω CoolMOS PFD7 | Infineon | DPAK

IPD60R1K0PFD7SAUMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre IPD600N25N3GATMA1 IPD60R1K0PFD7SAUMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,84 $0,36
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Series OptiMOS 3 —
Type de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 250 V 600 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 25 A —
Power Dissipation (PD) at Tc 136 W —
On-Resistance RDS(on) max 60 mOhm at VGS = 10 V —
Tension de seuil de grille [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] —
Température de jonction en fonctionnement -55 C to +175 C —
Boîtier PG-TO252-3 (DPAK), 3-pin (2+Tab), surface mount PG-TO252-3 (DPAK, 2 leads + tab, SC-63)
Type de montage Surface Mount (Tape & Reel) Surface Mount
Technology OptiMOS 3 trench MOSFET CoolMOS PFD7 Superjunction (SJ) MOSFET
Lead Plating Pb-free —
RoHS Compliance Compliant —
Sans halogène Yes, per IEC 61249-2-21 —
JEDEC Qualification Qualified for target application —
Polarity / Channel Type — N-Channel Enhancement Mode
Continuous Drain Current (ID) at TC — 4.7 A
Power Dissipation (PD) at TC — 26 W
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) — 1 Ω @ VGS=10V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — ±20 V (max gate-source)
Gate Charge (QG) — 6 nC @ VGS=10V
Output Capacitance (Coss) — 230 pF @ 400 V
Plage de température de fonctionnement — -55C to +150C (TJ)
Gate Drive Voltage (recommended) — 10 V (full enhancement)
Statut RoHS — Compliant
Series — CoolMOS PFD7 consumer / superjunction

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